| Высокая
таплопроводность |
5Вт/см*К |
| Высокие
механические свойства: |
|
| твердость
по Моосу 9.2-9.3, по Кнупу 3000кг/мм2 |
|
| модуль
упругости |
модуль
Юнга 40*10000кг/мм2 |
| Высокая
лучевая стойкость |
>100000Вт/см3 |
| Высокая
химическая стойкость(устойчивость к воздействию любых кислот и щелочей
при нормальных и повышенных температурах) |
|
| Высокая
радиацишнная стойкость(устойчивость приборов на SiC к воздействию радиации
в 10-100 раз выше, чем у приборов на Si) |
|
| Низкая
диффузионная проницаемость SiC |
|
| Широкая
запрещенная зона |
2,4-3,3
эВ от 3С до 2Н |
| Высокая
напряженность поля лавинного пробоя |
до
6МВ/см |
| Высокая
дрейфовая скорость насыщения |
2*10000000В/см |
| Малые
времена жизни и невысокая подвижность носителей заряда (отмечен эффект
увеличения времени жизнни и диффузионной длины носителей заряда с ростом
температуры) |
40-1000
см2/Вс |
| Высокая
скорость распостранения аккустических волн |
7-8
км/с |
| Низкий
коэффициент затухания звука на сверх высоких частотах |
3 дБ/см
на F=1ГГц |
| Люминесцентная
активность в широком диапазоне спектра, вплоть до УФ |
1,9-3,0
эВ |
| Наличие
глубоких и мелких электрически активных центров |
0,03-0,7
эВ |
| Невысокая
плотность поверхностных состояний на границе SiO2-Si |
~10000000000
см-2 |
| Низкая
скорость генерационно-рекомбинационных
процессов на границе SiO2-SiC |
|
| Сильная
зависимость электрических и оптических свойств от кристаллографической
ориентации и политипной структуры |
|
