Карбид кремния является перспективным полупроводниковым материалом для высокотемпературной и высокочастотной электроники.Использование SiC в таких областях как атомная энергетика, топливно энергетический комплекс, военная техника существенно бы упростило реализацию поставленных задач в данных сферах. Но существует целый ряд проблем, которые не позволяют выращивать монокристаллы с требуемыми свойствами.

Карбид кремния, единственное полупроводниковое соединение состоящее из элементов IVгруппы .Это дешевые и доступные углерод и кремний.Пластина из такого материала диаметром 50 мм стоит сейчас $500. Рынок пластин карбида кремния и приборов на его основе составляет более $2 млрд и имеет резкую тенденцию к росту.